[发明专利]一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法

摘要

本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法。本发明提出的淀积钨接触孔或通孔的方法，是采用原子层淀积方法，进行选择性淀积。该方法可以得到高保形性、高台阶覆盖率的钨薄膜，而且，原子层淀积生长的钨薄膜与扩散阻挡层有良好的接触，可以有效克服接触孔和通孔出现的空洞问题，提供较低且稳定的电阻。同时，选择性地淀积钨薄膜，可以避免不必要的钨的淀积，节省钨材料，并大大减少钨化学机械抛光的研磨量，简化生产工艺，提高生产效率。

主权项

一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于具体步骤包括：提供一个互连结构的某一层布线已经完成的集成电路衬底；形成第一层绝缘薄膜；形成一层刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上面吸附一层有机基团；掩膜、曝光、刻蚀形成通孔；形成一层扩散阻挡层；形成一层钨薄膜；去除所述的有机基团；所述钨薄膜平坦化。