[发明专利]一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法

权利要求书

1.一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于具体步骤包括：

提供一个互连结构的某一层布线已经完成的集成电路衬底；

形成第一层绝缘薄膜；

形成一层刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上面吸附一层有机基团；

掩膜、曝光、刻蚀形成通孔；

形成一层扩散阻挡层；

形成一层钨薄膜；

去除所述的有机基团；

所述钨薄膜平坦化。

2.根据权利要求1所述的选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜为磷硅玻璃或硼磷硅玻璃低介电常数的绝缘材料。

3.根据权利要求1或2所述的选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于，所述的刻蚀阻挡层为氮化硅、硅碳氮或者氮化硼。

4.根据权利要求1或2所述的选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于，所述的有机基团为十八烷基三氯硅烷或者聚甲基丙烯酸甲酯。

5.根据权利要求1或2所述的选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于，所述的扩散阻挡层为Ta/TaN复合层或者为Ti/TiN复合层。

6.根据权利要求3所述的选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于，所述的扩散阻挡层为Ta/TaN复合层或者为Ti/TiN复合层。

7.根据权利要求1或2或6所述的选择性淀积钨接触孔或通孔的方法，其特征在于，形成所述钨薄膜时，首先采用原子层淀积方法淀积钨的成核层，然后采用原子层淀积或者化学气相沉积方法淀积钨的主体部分。