[发明专利]采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法有效
| 申请号： | 201010542475.5 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102468221A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;王洪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法，包括：形成第一类型MOS的高K介质/金属栅(HKMG)；形成并金属化第一类型MOS和第二类型MOS的源漏极的下接触孔，同时形成第二类型MOS的HKMG，其中所述源漏极下接触孔中填充有与第二类型MOS的金属栅所用相同的材料；形成并金属化第一类型和第二类型MOS的金属栅的接触孔以及源漏极上接触孔，其中源漏极上接触孔与源漏极下接触孔对准。该方法降低了接触孔刻蚀及金属淀积的难度，简化了工艺步骤，并且使器件的可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 工艺 制备 cmos 器件 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法，包括：形成第一类型MOS的高K介质/金属栅(HKMG)；形成并金属化第一类型MOS和第二类型MOS的源漏极的下接触孔，同时形成第二类型MOS的HKMG，其中所述源漏极下接触孔中淀积有与第二类型MOS的金属栅所用相同的材料；形成并金属化第一类型和第二类型MOS的金属栅的接触孔以及源漏极上接触孔，其中源漏极上接触孔与源漏极下接触孔对准；并且其中，所述第一类型MOS与第二类型MOS类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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