[发明专利]一种最优化的智能功率模块的功率封装结构有效
| 申请号： | 201010540330.1 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102064161A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 戴志展;汪水明 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/28;H01L23/31 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 沈志良 |
| 地址： | 314000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种最优化的智能功率模块的功率封装结构，采用引线框直接焊接的形式实现模块内部电路拓扑结构，且在模块内部最靠近功率器件位置设置吸收电容。本发明大大降低电压过冲过高对器件失效的潜在威胁，也降低了系统设计中对功率器件裕量的要求，提高系统的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 智能 功率 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种最优化的智能功率模块的功率封装结构，包括基板，最优化的电路拓扑布局，功率器件和吸收电容，功率器件安装于基板上，其特征在于吸收电容封装于电路拓扑布局中最靠近功率器件的P端和N端。
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