[发明专利]一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法有效
| 申请号： | 201010540144.8 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102010135A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 唐琼;杨军;曲蕴杰;李佳;朱建伟;李海燕;杨轶博;张菁华 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高尚梅 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抗腐蚀金属掩膜制备方法，特别是一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法。本发明的目的是解决现有掩膜腐蚀后存在的钻蚀孔、局部翘曲、起皮缺陷等问题。本发明具体包括如下步骤：a.清洗步骤：首先采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡，再用兆声清洗基片。b.镀膜步骤：(1)对基片表面Ar离子轰击，(2)在温度100～220℃、溅射气压0.3～0.gPa、溅射功率1.9～2.5Kw条件下，使基片表面依次镀Cr膜和Cu膜；(3)重复步骤(2)再次在基片表面镀Cr膜和Cu膜，形成双层或多层Cr/Cu金属掩膜。本发明有效减少由于微小颗粒及膜层缺陷引起的针孔钻蚀，提高掩膜的附着力，并有效去除了应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢氟酸 腐蚀 金属 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法，包括如下步骤：清洗步骤；镀膜步骤；其特征在于：所述镀膜步骤中所镀膜为多层膜结构。
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