[发明专利]一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法有效
申请号: | 201010540144.8 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102010135A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 唐琼;杨军;曲蕴杰;李佳;朱建伟;李海燕;杨轶博;张菁华 | 申请(专利权)人: | 北京自动化控制设备研究所 |
主分类号: | C03C15/00 | 分类号: | C03C15/00 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
地址: | 100074 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氢氟酸 腐蚀 金属 制备 方法 | ||
1.一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,包括如下步骤:
清洗步骤;
镀膜步骤;
其特征在于:
所述镀膜步骤中所镀膜为多层膜结构。
2.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述清洗步骤包括兆声清洗的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述清洗步骤还包括采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡的步骤。
4.根据权利要求3所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述腐蚀浸泡在60~120℃条件下进行,腐蚀浸泡时间为5~10分钟;所述兆声清洗时间为5~15min。
5.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述镀膜步骤具体包括:
对待镀膜基片表面进行离子轰击的步骤;
采用磁控溅射方式对待镀膜基片镀膜的步骤,镀膜条件为:温度100~220℃、溅射气压0.3~0.8Pa、溅射功率1.9~2.5Kw。
6.根据权利要求4所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述镀膜步骤中的离子轰击为Ar离子轰击,时间为5~10min,离子轰击功率70~90w。
7.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:在所述镀膜步骤后,还包括退火步骤,所述退火步骤在真空退火炉内进行。
8.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述镀膜步骤中多层膜的材料为多层Cr/Cu金属掩膜,多层Cr/Pt金属掩膜或多层Cr/Au金属掩膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京自动化控制设备研究所,未经北京自动化控制设备研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010540144.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。