[发明专利]一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法有效

专利信息
申请号: 201010540144.8 申请日: 2010-11-11
公开(公告)号: CN102010135A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 唐琼;杨军;曲蕴杰;李佳;朱建伟;李海燕;杨轶博;张菁华 申请(专利权)人: 北京自动化控制设备研究所
主分类号: C03C15/00 分类号: C03C15/00
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅
地址: 100074 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 氢氟酸 腐蚀 金属 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,包括如下步骤:

清洗步骤;

镀膜步骤;

其特征在于:

所述镀膜步骤中所镀膜为多层膜结构。

2.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述清洗步骤包括兆声清洗的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述清洗步骤还包括采用氢氟酸双氧水混合液或硫酸双氧水混合液对待镀膜基片腐蚀浸泡的步骤。

4.根据权利要求3所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述腐蚀浸泡在60~120℃条件下进行,腐蚀浸泡时间为5~10分钟;所述兆声清洗时间为5~15min。

5.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述镀膜步骤具体包括:

对待镀膜基片表面进行离子轰击的步骤;

采用磁控溅射方式对待镀膜基片镀膜的步骤,镀膜条件为:温度100~220℃、溅射气压0.3~0.8Pa、溅射功率1.9~2.5Kw。

6.根据权利要求4所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述镀膜步骤中的离子轰击为Ar离子轰击,时间为5~10min,离子轰击功率70~90w。

7.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:在所述镀膜步骤后,还包括退火步骤,所述退火步骤在真空退火炉内进行。

8.根据权利要求1所述的一种抗氢氟酸腐蚀液腐蚀的金属掩膜制备方法,其特征在于:所述镀膜步骤中多层膜的材料为多层Cr/Cu金属掩膜,多层Cr/Pt金属掩膜或多层Cr/Au金属掩膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京自动化控制设备研究所,未经北京自动化控制设备研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010540144.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top