[发明专利]一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010530299.3 申请日: 2010-11-03
公开(公告)号: CN102024878A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 王长君;苏青峰;赖建明;张根发;吴明明;罗军;李帅 申请(专利权)人: 上海联孚新能源科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 郭桂峰
地址: 201201 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法,包括如下步骤:(a)前驱体油墨浆料制备(b)前驱体薄膜制备(c)干燥还原(d)硫化退火。本发明所提供的铜铟硫薄膜丝网印刷制备方法,与传统的高真空气相法相比,其工艺简单,成本低,可控性强,可重复性强,可以制备大面积、成分均匀的吸收层薄膜,易实现大规模生产,热被投资少,原料利用率高,可促进铜铟硫薄膜太阳能电池产业化快速发展。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 用铜铟镓硫 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)前驱体油墨浆料制备:将含Cu、含In、含Ga的化合物和S化物,按照In、Ga离子摩尔比为1~4:1;Cu、(In+Ga)、S离子摩尔比为1~2:1:5~8配置,并加入一定量溶液调节剂,搅拌24h,得到前驱体油墨浆料;(b)前驱体薄膜制备:将步骤a中所述油墨浆料利用丝网印刷方法,在钠钙玻璃Mo衬底上制备前驱体薄膜,反复印刷,薄膜厚度约为8μm;(c)干燥还原:将步骤b制备的所述前驱体薄膜,干燥还原,采用H2气还原,升温速率为2~10℃/min,在200~300℃保温30~60min;(d)硫化退火:将步骤c还原制备的前驱体薄膜,进行硫化退火形成铜铟镓硫薄膜。
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