[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201010523112.7 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102082121A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 关家一马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陈坚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片的加工方法,其不会使被磨削而变薄的器件区域产生缺口。该晶片的加工方法用于对在表面具有形成有器件的器件区域和外周剩余区域的晶片进行加工,该晶片的加工方法的特征在于,其包括以下工序:保护带粘贴工序,在晶片的表面粘贴保护带;分离槽形成工序,将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台,将切削刀具定位于晶片背面,并且使卡盘工作台旋转以切削器件区域与外周剩余区域的交界部,从而形成分离槽,将环状的外周剩余区域与器件区域分离;背面磨削工序,仅对晶片的与器件区域对应的背面进行磨削,从而形成圆形凹部并使环状的外周剩余区域作为环状加强部保留;和搬送工序,对晶片的经由保护带支承于环状加强部的器件区域进行搬送。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,其是对在表面具有器件区域和外周剩余区域的晶片进行加工的晶片的加工方法,所述器件区域中,被分割预定线划分开地形成有多个器件,所述外周剩余区域围绕所述器件区域,所述晶片的加工方法的特征在于,所述晶片的加工方法包括以下工序:保护带粘贴工序,在该保护带粘贴工序中,在晶片的表面粘贴保护带;分离槽形成工序,在该分离槽形成工序中,将晶片的保护带侧保持于能够旋转的卡盘工作台,将切削刀具定位于晶片的背面,并且使所述卡盘工作台旋转以切削所述器件区域与所述外周剩余区域的交界部,从而形成分离槽,将环状的所述外周剩余区域与所述器件区域分离;背面磨削工序,在该背面磨削工序中,晶片的所述器件区域和环状的所述外周剩余区域通过所述保护带而成为一体,仅对该晶片的与所述器件区域对应的背面进行磨削,从而形成圆形凹部,并且使环状的所述外周剩余区域作为环状加强部保留;以及搬送工序,在该搬送工序中,对晶片的所述器件区域进行搬送,其中该晶片的所述器件区域经由所述保护带支承于所述环状加强部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造