[发明专利]减少晶片边缘颗粒缺陷的方法无效
| 申请号： | 201010507014.4 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446805A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 武咏琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减少晶片边缘颗粒缺陷的方法：在半导体衬底表面上依次涂布六甲基二硅氮烷HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层；其中，HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层还附着于晶片边缘的厚度方向上；对顶部涂层和第一光阻胶层进行浸没式光刻以及以所述浸没式光刻后的图案为掩膜进行半导体衬底的刻蚀之后，形成浅沟槽隔离区；在浅沟槽隔离区内填充氧化物之后，在半导体衬底表面沉积栅氧化层材料；在栅氧化层材料表面涂布第二光阻胶层；对所述第二光阻胶层进行光刻以及以所述光刻后的图案为掩膜进行栅氧化层材料的湿法刻蚀之后，形成栅氧化层。采用本发明能够有效减少晶片边缘出现氧化物颗粒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 晶片 边缘 颗粒 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种减少晶片边缘颗粒缺陷的方法，应用于半导体器件的前段制造工艺中，该方法包括：在半导体衬底表面上依次涂布六甲基二硅氮烷HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层；其中，HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层还附着于晶片边缘的厚度方向上；对顶部涂层和第一光阻胶层进行浸没式光刻，以及以所述浸没式光刻后的第一光阻胶层图案为掩膜进行半导体衬底的刻蚀之后，形成浅沟槽隔离区；在浅沟槽隔离区内填充氧化物之后，在半导体衬底表面沉积栅氧化层材料；在栅氧化层材料表面涂布第二光阻胶层；对所述第二光阻胶层进行光刻，以及以所述光刻后的第二光阻胶层图案为掩膜进行栅氧化层材料的湿法刻蚀之后，形成栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
