[发明专利]BiCMOS工艺中的PIN器件有效
| 申请号： | 201010504077.4 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446978A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;钱文生;胡君;周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种的BiCMOS工艺中的PIN器件形成于P型硅衬底上，有源区通过浅槽场氧进行隔离，在俯视面上，所述PIN器件的版图结构为八边形、八边以上多变形、或圆形。在横截面上，所述PIN器件包括：一N型区，由形成于有源区两侧的所述浅槽场氧底部并和有源区相隔一横向距离的N型赝埋层组成并通过深孔接触引出所述N型区。一I型区，由形成于有源区中的N型集电极注入区组成。一P型区，由形成于有源区表面上的掺有P型杂质的本征基区外延层组成。本发明能有效地降低器件的串联电阻、提高器件的正向导通电流、能使器件的电流在各个方向上更均匀、提高器件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 工艺 中的 pin 器件 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中的PIN器件，形成于P型硅衬底上，有源区通过浅槽场氧进行隔离，其特征在于：在俯视面上，所述PIN器件的版图结构为八边形、八边以上多变形、或圆形；在横截面上，所述PIN器件包括：一N型区，由形成于有源区两侧的所述浅槽场氧底部的N型赝埋层组成，所述N型赝埋层和所述有源区相隔一横向距离，通过在所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出所述N型区；一I型区，是由形成于有源区中的N型集电极注入区组成，所述I型区的深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述I型区的底部横向延伸进入所述有源区两侧的所述浅槽场氧底部并和所述N型赝埋层形成接触；一P型区，由形成于所述有源区表面上的掺有P型杂质的本征基区外延层组成，和所述I型区相接触，通过在所述P型区上部形成的一金属接触引出所述P型区。
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