[发明专利]在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法有效
| 申请号： | 201010503967.3 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446851A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 熊涛;罗啸;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，包括如下步骤：1)先为在衬底上进行场氧化区的制备，而后进行高压器件区的栅氧化层生长前的工艺步骤；2)接着生长高压器件区的栅氧化层；3)之后进行低压器件区中栅氧化层生长前的工艺步骤；4)紧接着为SONOS非挥发性存储器区隧道窗口注入和刻蚀；5)在整个衬底上生长ONO介质层；6)去除高压器件区上的ONO介质层；7)采用光刻胶保护非挥发性存储器区的ONO介质层和高压器件区的栅氧化层，去除衬底上的ONO介质层和衬底上的衬垫氧化层，之后去除光刻胶；8)最后生长低压器件区的栅氧化层。采用本发明的方法，提高了高压器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 挥发性 存储器 工艺 嵌入 高压 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)先为在衬底上进行场氧化区的制备，接着在衬底上生长衬垫氧化层，而后进行高压器件区的栅氧化层生长前的工艺步骤；(2)接着生长高压器件区的栅氧化层；(3)之后进行低压器件区中栅氧化层生长前的工艺步骤；(4)紧接着为SONOS非挥发性存储器区隧道窗口注入，之后刻蚀去除SONOS非挥发性存储器区表面的衬垫氧化层；(5)在整个衬底上生长ONO介质层；(6)去除高压器件区上的ONO介质层；(7)采用光刻胶保护非挥发性存储器区的ONO介质层和高压器件区的栅氧化层，去除衬底上的ONO介质层和衬底上的衬垫氧化层，之后去除光刻胶；(8)最后生长低压器件区的栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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