[发明专利]一种垂直结构发光二极管有效
| 申请号： | 201010502895.0 | 申请日： | 2010-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN102447015A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈祖辉 | 申请（专利权）人： | 陈祖辉 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市湖里*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种垂直结构发光二极管的结构与方法，其特征在于：一、芯片以多层金属作为外延层的支撑衬底，其作用是导热和导电；二、作为支撑衬底的多层金属是通过蒸发、溅射或者电镀的方法生长得到；三、作为支撑衬底的金属层由多层金属组成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种垂直结构发光二极管的制造方法，其特征在于：1、去除蓝宝石衬底，衬底置换完成以后开始进行芯片单元制作工艺，几个主要特征是：1)外延片在衬底置换之前已经沉积反光、接触层金属薄膜。2)外延片上沉积反光、接触层金属薄膜后，以钨、钨合金、钼、钼合金等难熔金属或合金作为阻挡层。3)芯片的钝化层制作是在衬底置换之后。2、用于置换蓝宝石的导热衬底是由导热性能良好的铜、银和莫斯硬度极高的金属多层交替组成。3、导热衬底由蒸发、溅射或者电镀这几种方法的组合沉积生长而成。
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