[发明专利]一种三维集成结构及其生产方法有效
| 申请号： | 201010500612.9 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102050418A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 马盛林;孙新;朱韫晖;金玉丰;缪旻 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维集成结构及其生产方法，属于微机械电子系统与集成电路加工领域。所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的MEMS器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述TSV通孔电连接的芯片。本发明还公开了三维集成结构的两种生产方法。本发明可用于制造集成电路。该集成结构及其生产方法可以有效解决MEMS器件与其处理集成电路的兼容性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 集成 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种三维集成结构，其特征在于，所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的MEMS器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述微铜柱电连接的芯片。
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