[发明专利]用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物有效
| 申请号： | 201010298055.7 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102443395A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 林廷训;金大玹;宇昌震;朴成焕 | 申请（专利权）人： | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于以高蚀刻速率选择性地去除二氧化硅的蚀刻组合物，更具体而言，该用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物包含1至40重量％的氟化氢(HF)、5至40重量％的氟化氢铵(NH4HF2)以及水，并进一步包含表面活性剂以提高二氧化硅和氮化硅膜的选择性。因为该用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物具有高的二氧化硅相对于氮化硅膜的蚀刻选择性，所以其可用于选择性去除二氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 湿法 蚀刻 二氧化硅 组合 | ||
【主权项】：
用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物，其包含：1至40重量％的氟化氢(HF)；5至40重量％的氟化氢铵(NH4HF2)；及水。
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