[发明专利]一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统有效
申请号: | 201010291200.9 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102012416A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 陈腊;李哲;康保娟;沈少喜;敬超;曹世勋;张金仓 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00;G01B7/16 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统。本方法操作步骤为:1.在具有极端条件的综合物性测量系统中安置样品;2.利用惠斯通半桥法测量应变;3.利用静态应变仪在预设温度磁场值下测量样品应变;4.消除误差。本系统是:一个综合物性测量系统和一个静态应变仪分别通过GPIB接口总线和RS232接口与一个微机终端相连,该微机终端包含一个数据采集分析系统。本发明能够在极低温和强磁场条件下测量样品静态应变特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 极端 条件下 测量 材料 应变 特性 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种极端条件下测量材料应变特性的方法,其特征在于操作步骤如下:a.综合物性测量系统(2)为测试提供所需的极低温和强磁场条件,以及调节样品与磁场夹角方向;待测样品(4)用胶水粘固于应变片(5)上,再用双面胶及夹具固定于样品托(6)或旋转杆上,样品托(6)或旋转杆置于液氦杜瓦(7)样品腔内;b.应变测量采用惠斯通半桥法,为了提高测量灵敏度,样品(4)与应变仪(3)连线采用电阻率比较小的镀银铜线三芯屏蔽电缆(9);c.在样品温度磁场值达到预设值后,利用静态应变仪测量样品应变;d.消除误差:为了扣除掉引线电阻带来测量上的误差,在测量刚开始时测量一个数值,后面每测量一个值都用第一个值的相对变化来表示,这样就可以得到材料相对应变值。
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