[发明专利]一种极端条件下测量材料应变特性的方法及系统有效
申请号: | 201010291200.9 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102012416A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 陈腊;李哲;康保娟;沈少喜;敬超;曹世勋;张金仓 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00;G01B7/16 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 极端 条件下 测量 材料 应变 特性 方法 系统 | ||
1.一种极端条件下测量材料应变特性的方法,其特征在于操作步骤如下:
a.综合物性测量系统(2)为测试提供所需的极低温和强磁场条件,以及调节样品与磁场夹角方向;待测样品(4)用胶水粘固于应变片(5)上,再用双面胶及夹具固定于样品托(6)或旋转杆上,样品托(6)或旋转杆置于液氦杜瓦(7)样品腔内;
b.应变测量采用惠斯通半桥法,为了提高测量灵敏度,样品(4)与应变仪(3)连线采用电阻率比较小的镀银铜线三芯屏蔽电缆(9);
c.在样品温度磁场值达到预设值后,利用静态应变仪测量样品应变;
d.消除误差:为了扣除掉引线电阻带来测量上的误差,在测量刚开始时测量一个数值,后面每测量一个值都用第一个值的相对变化来表示,这样就可以得到材料相对应变值。
2.如权利1要求所述一种极端条件下测量材料应变特性的方法,其特征在于:极端条件的极低温温度范围:2-380K。
3.如权利1要求所述一种极端条件下测量材料应变特性的方法,其特征在于:极端条件的强磁场范围:0-9T。
4.如权利1要求所述一种极端条件下测量材料应变特性的方法,其特征在于:应变测量范围:-240000-+240000με。
5.如权利1要求所述一种极端条件下测量材料应变特性的方法,其特征在于:所述应变测量惠斯通半桥方法是一应变片(5)贴于样品上,另一应变片(8)作为参考以消除温度磁场的影响。
6.一种极端条件下测量材料应变特性的系统,包括一个综合物性测量系统(2)、一个静态应变仪(3)和一个微机终端(1),其特征在于:所述综合物性测量系统(2)和所述静态应变仪(3)分别通过GPIB接口总线和RS232接口与所述微机终端(1)相连,该微机终端(1)包含一个数据采集分析系统。
7.如权利要求6所述一种极端条件下测量材料应变特性的系统,其特征在于:所述数据采集分析系统具有采集整个系统数据,包括样品的温度和磁场值及静态应变仪测量结果以及实时显示各项数值,数据绘图,完成数据存盘功能。
8.如权利要求6所述一种极端条件下测量材料应变特性的系统,其特征在于:所述数据采集分析系统通过综合物性测量系统控制软件MultiVu设定测量脚本程序,接收综合物性测量系统发送的消息代码控制静态应变仪测量。
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