[发明专利]一种功率器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010288236.1 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101982871A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 迪斯尼·R·唐纳德 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 徐宏;詹永斌 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件及其制造方法。在一个实施例中，所述器件包括：漏极、源极、栅极以及分与于漏极和源极之间的漂移区。所述漂移区包括相邻的P型列柱和N型列柱，其总宽度小于12微米。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造功率器件的方法，包括：在衬底上沉积外延层；在所述外延层内注入具有第一深度的第一掺杂区域；在所述外延层内注入具有第二深度的第二掺杂区域，所述第二深度不同于所述第一深度，所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域分离；以及合并所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域，形成连续的掺杂列柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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