[发明专利]检测掩模板污染的方法有效
申请号: | 201010288076.0 | 申请日: | 2010-09-17 |
公开(公告)号: | CN102403246A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 宁超;顾一鸣;朱文渊 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;徐丁峰 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种检测掩模板污染的方法,掩模板具有目标图案,包括:提供具有多个管芯的晶片,晶片的一部分管芯上具有参照图案,参照图案是在掩模板未受污染时将目标图案转移到晶片上的该部分管芯上而形成的;将在半导体制造工艺中使用过的掩模板上的目标图案转移到多个管芯中不具有参照图案的一部分管芯上以形成转移图案;比较参照图案和转移图案,以确定掩模板是否受到污染。本发明还提供了一种掩模板套件包括掩模板和至少一个具有多个管芯的晶片,多个管芯中的一部分管芯上具有用于检测该掩模板是否受污染的参照图案。根据本发明的检测掩模板污染的方法,能够进行在线检测,因此能够及时有效地检测出掩模板上的污染。 | ||
搜索关键词: | 检测 模板 污染 方法 | ||
【主权项】:
一种检测掩模板污染的方法,所述掩模板具有目标图案,所述方法包括:(a)提供具有多个管芯的晶片,所述晶片的一部分管芯上具有用于检测掩模板污染的参照图案,所述参照图案是在所述掩模板未受污染时将所述目标图案转移到所述晶片上的该部分管芯上而形成的;(b)将在半导体制造工艺中使用过的所述掩模板上的所述目标图案转移到所述多个管芯中不具有所述参照图案的一部分管芯上以形成转移图案;(c)比较所述参照图案和所述转移图案,以确定所述掩模板是否受到污染。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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