[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件。半导体器件具备使用反向器电路的SRAM，该反向器电路具有：第1栅极绝缘膜(192)，用以包围第1岛状半导体层(109)周围；第1栅极电极(183)，用以包围第1栅极绝缘膜周围；第2栅极绝缘膜(192)，用以包围第1栅极电极周围；第1筒状半导体层(133)，用以包围第2栅极绝缘膜周围；第1个第1导电型上部高浓度半导体层(149)，形成于第1岛状半导体层的上方部分；第2个第1导电型下部高浓度半导体层(153)，形成于第1岛状半导体层的下方部分；第1个第2导电型上部高浓度半导体层(161)，形成于第1筒状半导体层的上方部分；及第2个第2导电型下部高浓度半导体层(163)，形成于第1筒状半导体层的下方部分。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备配置于衬底行列方向的第1行第1列的第1反向器电路；所述第1反向器电路具有：第1岛状半导体层；第1栅极绝缘膜，用以包围所述第1岛状半导体层周围；第1栅极电极，用以包围所述第1栅极绝缘膜周围；第2栅极绝缘膜，用以包围所述第1栅极电极周围；第1筒状半导体层，用以包围所述第2栅极绝缘膜周围；第1个第1导电型上部高浓度半导体层，配置于所述第1岛状半导体层的上方部分；第2个第1导电型下部高浓度半导体层，配置于所述第1岛状半导体层的下方部分；第1个第2导电型上部高浓度半导体层，配置于所述第1筒状半导体层的上方部分；及第2个第2导电型下部高浓度半导体层，配置于所述第1筒状半导体层的下方部分；还具备配置于所述衬底行列方向的第2行第2列的第2反向器电路；所述第2反向器电路具有：第2岛状半导体层；第3栅极绝缘膜，用以包围所述第2岛状半导体层周围；第2栅极电极，用以包围所述第3栅极绝缘膜周围；第4栅极绝缘膜，用以包围所述第2栅极电极周围；第2筒状半导体层，用以包围所述第4栅极绝缘膜周围；第3个第1导电型上部高浓度半导体层，配置于所述第2岛状半导体层的上方部分；第4个第1导电型下部高浓度半导体层，配置于所述第2岛状半导体层的下方部分；第3个第2导电型上部高浓度半导体层，配置于所述第2筒状半导体层的上方部分；及第4个第2导电型下部高浓度半导体层，配置于所述第2筒状半导体层的下方部分；还具备配置于所述衬底行列方向的第1行第2列的第1选择晶体管；所述第1选择晶体管具有：第3岛状半导体层；第5栅极绝缘膜，用以包围所述第3岛状半导体层周围；第3栅极电极，用以包围所述第5栅极绝缘膜周围；第5个第1导电型上部高浓度半导体层，配置于所述第3岛状半导体层的上部；及第6个第1导电型下部高浓度半导体层，配置于所述第3岛状半导体层的下部；还具备配置于所述衬底行列方向的第2行第1列的第2选择晶体管；所述第2选择晶体管具有：第4岛状半导体层；第6栅极绝缘膜，用以包围所述第4岛状半导体层周围；第4栅极电极，用以包围所述第6栅极绝缘膜周围；第7个第1导电型上部高浓度半导体层，配置于所述第4岛状半导体层的上方部分；及第8个第1导电型下部高浓度半导体层，配置于所述第4岛状半导体层的下方部分；还具备：第9个第1导电型下部高浓度半导体层，与所述第2个第1导电型下部高浓度半导体层、所述第2个第2导电型下部高浓度半导体层、及所述第8个第1导电型下部高浓度半导体层相邻接；及第10个第1导电型下部高浓度半导体层，与所述第4个第1导电型下部高浓度半导体层、所述第4个第2导电型下部高浓度半导体层、及所述第6个第1导电型下部高浓度半导体层相邻接；且具有：半导体与金属的第1化合物层，与所述第1个第1导电型上部高浓度半导体层相邻接；半导体与金属的第2化合物层，与所述第1个第2导电型下部高浓度半导体层相邻接；半导体与金属的第3化合物层，与所述第2个第2导电型下部高浓度半导体层、所述第9个第1导电型下部高浓度半导体层、及所述第8个第1导电型下部高浓度半导体层相邻接；半导体与金属的第4化合物层，与所述第7个第1导电型上部高浓度半导体层相邻接；半导体与金属的第5化合物层，与所述第3个第1导电型上部高浓度半导体层相邻接；半导体与金属的第6化合物层，与所述第3个第2导电型上部高浓度半导体层相邻接；半导体与金属的第7化合物层，与所述第4个第2导电型下部高浓度半导体层、所述第10个第1导电型下部高浓度半导体层、及所述第6个第1导电型下部高浓度半导体层相邻接；半导体与金属的第8化合物层，与所述第5个第1导电型上部高浓度半导体层相邻接；第1接触部，用以将所述第1栅极电极与所述第7化合物层予以电性连接；及第2接触部，用以将所述第2栅极电极与所述第3化合物层予以电性连接。