[发明专利]含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201010282757.6 | 申请日： | 2010-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102024887A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 荒木正浩;内海孝昭;阪田昌彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 氮化物 中间层 制造 方法 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种含有铝的氮化物中间层的制造方法，其特征在于，包括：把基板和含有铝的靶电极隔开100mm以上250mm以下的距离来配置的工序、通过在所述基板与所述靶电极之间利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法而在所述基板表面上形成含有铝的氮化物中间层的工序。
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