[发明专利]在SONOS制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法有效
| 申请号： | 201010279848.4 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403273A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;刘剑;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在SONOS制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法；包括以下步骤：步骤一、注入高压金属氧化物半导体器件，推阱和退火及场区氧化；步骤二、注入用于逻辑电路的低压CMOS阱及开启电压调节注入；步骤三、注入和腐蚀SONOS非挥发性存储器沟道窗口；步骤四、生长ON薄膜；步骤五、将高压器件栅极区域的ON薄膜去除，露出硅衬底；步骤六、氧化ON薄膜形成ONO薄膜，并生长高压栅极氧化层；步骤七、将低压CMOS区域的ONO薄膜去除，露出硅衬底，同时在刻蚀过程中利用光刻胶保护高压栅极氧化层；步骤八、生长低压栅极氧化层。本发明有效的避免高压栅极氧化过程中低压器件及非挥发性存储器器件区域的硅消耗，从而有效减少电特性及可靠性性能变化。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 制造 工艺 生长 栅极 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种在SONOS制造工艺中生长厚栅极氧化层的方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、注入高压金属氧化物半导体器件，推阱和退火及场区氧化；步骤二、注入用于逻辑电路的低压CMOS阱及开启电压调节注入；步骤三、注入和腐蚀SONOS非挥发性存储器沟道窗口；步骤四、生长ON薄膜；步骤五、将高压器件栅极区域的ON薄膜去除，露出硅衬底；步骤六、氧化ON薄膜形成ONO薄膜，并生长高压栅极氧化层；步骤七、将低压CMOS区域的ONO薄膜去除，露出硅衬底，同时在刻蚀过程中利用光刻胶保护高压栅极氧化层；步骤八、生长低压栅极氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010279848.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于光分组交换的对等式云网络系统
- 下一篇：避免器官移植排斥的方案
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
