[发明专利]SiGe HBT晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010278649.1 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101937846A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L29/08;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiGe HBT晶体管及其制造方法。根据本发明的SiGe HBT晶体管制造方法，其中对集电极区域进行掺杂的步骤包括：第一离子注入步骤，用于形成具有第一掺杂浓度的第一集电极区域；以及第二离子注入步骤，用于形成具有第二掺杂浓度的第二集电极区域；其中，第一集电极区域和第二集电极区域重叠布置以构成集电极区域，并且第二集电极区域形成在第一集电极区域之上，并且第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度。通过两步离子注入来将集电极区域分成具有不同掺杂浓度的第一集电极区域和第二集电极区域，于是在获得高击穿电压的器件的同时，损失较少的特征频率，从而使得器件品质的因子大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | sige hbt 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe HBT晶体管制造方法，其特征在于，对集电极区域进行掺杂的步骤包括：第一离子注入步骤，用于形成具有第一掺杂浓度的第一集电极区域；以及第二离子注入步骤，用于形成具有第二掺杂浓度的第二集电极区域；其中，第一集电极区域和第二集电极区域重叠布置以构成集电极区域，并且第二集电极区域形成在第一集电极区域之上，并且第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
