[发明专利]EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法无效
| 申请号： | 201010277796.7 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102404652A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 费继承 | 申请（专利权）人： | 高通创锐讯通讯科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04Q11/00 | 分类号： | H04Q11/00;H04L12/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法，DDR中包括一以太网包存储区域；以太网包存储区域包括N个存储区间，每个存储区间包括M个相同大小的以太网包存储单元；OLT或ONU芯片接收到的以太网包分为i队，当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时，用于存放同一以太网包的各以太网包存储单元所属的存储区间按顺序交错。本发明的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法，能优化DDR的访问效率。 | ||
| 搜索关键词： | epon 网络 olt onu 芯片 ddr 缓存 以太网 方法 | ||
【主权项】：
一种EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法，其特征在于，DDR中包括一以太网包存储区域；所述以太网包存储区域包括N个存储区间，每个存储区间包括M个相同大小的以太网包存储单元；OLT或ONU芯片接收到的以太网包分为i队，当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时，用于存放同一以太网包的各以太网包存储单元所属的存储区间按顺序交错；i、M、N为正整数。
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