[发明专利]EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法

说明书

技术领域

本发明涉及以EPON技术，特别涉及一种EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法。

背景技术

10G EPON(Ethernet Passive Optical Network，太网无源光网络)网络中，不管是OLT(光缆终端设备)还是ONU(光网络单元)，都需要缓存大量数据。这些数据可以存放在芯片内部RAM(random access memory，随机存储器)里面，也可以存放在芯片外部DDR(Double Data Rate，双倍速率同步动态随机存储器)里面。当为了节约芯片内部RAM而把数据存放到DDR的时候，DDR的访问效率就成了制约我们的瓶颈问题，因为如果提高DDR的位宽和工作频率同样会影响芯片的面积和功耗。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法，能优化DDR的访问效率。

为解决上述技术问题，本发明的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法，

DDR中包括一以太网包存储区域；

所述以太网包存储区域包括N个存储区间，每个存储区间包括M个相同大小的以太网包存储单元；

OLT或ONU芯片接收到的以太网包分为i队，当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时，用于存放同一以太网包的各以太网包存储单元所属的存储区间按顺序交错；

i、M、N为正整数。

N可以为4或8。

当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时，用于存放同一队的以太网包的各以太网包存储单元所属的存储区间按顺序交错。

当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时，用于存放同一队的以太网包的当前以太网包存储单元所在的存储区间与用于存放该同一队的以太网包的先前K个以太网包存储单元所在的存储区间都不同，K为小于等于N的正整数。

当前以太网包存储单元所在的存储区间被占用的以太网包存储单元数最少。

存放同一以太网包的各以太网包存储单元中，写有存放该以太网包的下一以太网包存储单元的指针；

所述DDR中还包括一FD存储区域；

所述FD存储区域包括多个相同大小的FD存储单元，所述FD存储单元分为i组，属于同一组的FD存储单元用于存放属于同一队的以太网包的帧描述符组，一FD存储单元中写有属于同一组的下一个FD存储单元的指针，每个FD存储单元能存放一个帧描述符组，一个帧描述符组包括j个帧描述符，j为正整数；

当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时，同时将各队的以太网包的帧描述符分别依序以帧描述符组的形式按队存入DDR的各FD存储单元，即将属于同一队的各以太网包的帧描述符依序分为一个或多个帧描述符组后将各帧描述符组依序存入DDR的相应FD存储单元。

当OLT或ONU芯片从DDR读出以太网包时，根据从DDR的各FD存储单元读出的相应各队的以太网包的帧描述符从以太网包存储区域读出相应的各以太网包。

所述OLT或ONU芯片内部RAM设置有i个缓存区间，每个缓存区间包括尾缓存和头缓存，所述尾缓存的长度为j个帧描述符的长度，所述头缓存长度为2j个帧描述符的长度；

当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时，同时将各队的以太网包的帧描述符分别依序传送到芯片内部RAM的i个缓存区间，

当相应于某一队的所述FD存储区域的一组FD存储单元都为空，并且属于该队的以太网包的帧描述符总数小于3j时，属于该队的以太网包的帧描述符直接从芯片内部RAM的相应于该队的缓存区间的尾缓存透传到头缓存；

当相应于某一队的所述FD存储区域的一组FD存储单元都为空，并且芯片内部RAM的相应于该队的缓存区间的尾缓存中的帧描述符数达到j时，则将该尾缓存中的帧描述符作为一帧描述符组存入FD存储区域的该组FD存储单元中的一FD存储单元；

当相应于某一队的所述FD存储区域的一组FD存储单元存有帧描述符组，则芯片内部RAM的相应于该队的缓存区间的尾缓存中的帧描述符不透传到头缓存，并且芯片内部RAM的相应于该队的缓存区间的尾缓存中的帧描述符数达到j时，则将该尾缓存中的帧描述符作为一帧描述符组存入FD存储区域的该组FD存储单元中的存有帧描述符组的FD存储单元后的第一个空的FD存储单元；