[发明专利]EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法无效

专利信息
申请号: 201010277796.7 申请日: 2010-09-10
公开(公告)号: CN102404652A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 费继承 申请(专利权)人: 高通创锐讯通讯科技(上海)有限公司
主分类号: H04Q11/00 分类号: H04Q11/00;H04L12/56
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王江富
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: epon 网络 olt onu 芯片 ddr 缓存 以太网 方法
【权利要求书】:

1.一种EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法,其特征在于,

DDR中包括一以太网包存储区域;

所述以太网包存储区域包括N个存储区间,每个存储区间包括M个相同大小的以太网包存储单元;

OLT或ONU芯片接收到的以太网包分为i队,当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时,用于存放同一以太网包的各以太网包存储单元所属的存储区间按顺序交错;

i、M、N为正整数。

2.根据权利要求1所述的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法,其特征在于,N为4或8。

3.根据权利要求1所述的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法,其特征在于,

当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时,用于存放同一队的以太网包的各以太网包存储单元所属的存储区间按顺序交错。

4.根据权利要求3所述的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法,其特征在于,

当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时,用于存放同一队的以太网包的当前以太网包存储单元所在的存储区间与用于存放该同一队的以太网包的先前K个以太网包存储单元所在的存储区间都不同,K为小于等于N的正整数。

5.根据权利要求4所述的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法,其特征在于,当前以太网包存储单元所在的存储区间被占用的以太网包存储单元数最少。

6.根据权利要求1到5任一项所述的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法,其特征在于,

存放同一以太网包的各以太网包存储单元中,写有存放该以太网包的下一以太网包存储单元的指针;

所述DDR中还包括一FD存储区域;

所述FD存储区域包括多个相同大小的FD存储单元,所述FD存储单元分为i组,属于同一组的FD存储单元用于存放属于同一队的以太网包的帧描述符组,一FD存储单元中写有属于同一组的下一个FD存储单元的指针,每个FD存储单元能存放一个帧描述符组,一个帧描述符组包括j个帧描述符,j为正整数;

当OLT或ONU芯片接收到的以太网包存入DDR时,同时将各队的以太网包的帧描述符分别依序以帧描述符组的形式按队存入DDR的各FD存储单元,即将属于同一队的各以太网包的帧描述符依序分为一个或多个帧描述符组后将各帧描述符组依序存入DDR的相应FD存储单元。

7.根据权利要求6所述的EPON网络中OLT或ONU芯片用DDR缓存以太网包的方法,其特征在于,当OLT或ONU芯片从DDR读出以太网包时,根据从DDR的各FD存储单元读出的相应各队的以太网包的帧描述符从以太网包存储区域读出相应的各以太网包。

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