[发明专利]一种承载硅片的载具及选择性发射极太阳电池的掩膜工艺无效
申请号: | 201010277118.0 | 申请日: | 2010-09-09 |
公开(公告)号: | CN101950781A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 石劲超 | 申请(专利权)人: | 浙江百力达太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹;柏子雵 |
地址: | 314512 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种可实现选择性掩膜的工艺和设备,其特征在于在一种气相淀积设备或一种扩散系统上,设计一种承载硅片的载具,把织构化后的太阳电池片置于载具中,载具子结构的栅线状设计正好将硅片的正面电极区域或非电极受光区域掩盖住,将整个载具通过传输进入该气相淀积系统或氧化系统或扩散系统,运行工艺后,硅片正面被载具内子结构掩盖的区域没有形成沉积膜或氧化膜或扩散层,而在没有被掩盖的区域形成沉积膜或氧化膜或扩散层,这样就形成了选择性的掩膜层或扩散层。本发明的优点是提供了一种可以简单的实现SE电池的大规模生产方法的掩膜工艺和设备,大大减少了实验室SE电池制备工艺流程,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 承载 硅片 选择性 发射极 太阳电池 工艺 | ||
【主权项】:
一种承载硅片的载具,其特征在于:包括至少一个有序排列的子结构,每个子结构外围是硅片形状大小的硅片承载框(1),每个子结构的内部图案(2)呈栅线状且跟丝网正面的电极印刷图案一致或反一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江百力达太阳能有限公司,未经浙江百力达太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010277118.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电热蝇香片及其制备方法
- 下一篇:一种MRM水产养殖法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的