[发明专利]一种承载硅片的载具及选择性发射极太阳电池的掩膜工艺无效

专利信息
申请号: 201010277118.0 申请日: 2010-09-09
公开(公告)号: CN101950781A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 石劲超 申请(专利权)人: 浙江百力达太阳能有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 翁若莹;柏子雵
地址: 314512 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种可实现选择性掩膜的工艺和设备,其特征在于在一种气相淀积设备或一种扩散系统上,设计一种承载硅片的载具,把织构化后的太阳电池片置于载具中,载具子结构的栅线状设计正好将硅片的正面电极区域或非电极受光区域掩盖住,将整个载具通过传输进入该气相淀积系统或氧化系统或扩散系统,运行工艺后,硅片正面被载具内子结构掩盖的区域没有形成沉积膜或氧化膜或扩散层,而在没有被掩盖的区域形成沉积膜或氧化膜或扩散层,这样就形成了选择性的掩膜层或扩散层。本发明的优点是提供了一种可以简单的实现SE电池的大规模生产方法的掩膜工艺和设备,大大减少了实验室SE电池制备工艺流程,降低了成本。
搜索关键词: 一种 承载 硅片 选择性 发射极 太阳电池 工艺
【主权项】:
一种承载硅片的载具,其特征在于:包括至少一个有序排列的子结构,每个子结构外围是硅片形状大小的硅片承载框(1),每个子结构的内部图案(2)呈栅线状且跟丝网正面的电极印刷图案一致或反一致。
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