[发明专利]选择性发射极太阳电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010277113.8 申请日: 2010-09-09
公开(公告)号: CN101950780A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 徐冬星;石劲超 申请(专利权)人: 浙江百力达太阳能有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 翁若莹
地址: 314512 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种选择性发射极太阳电池的制备方法,包括以下步骤:提供单晶硅片进行表面织构化;通过第一丝网印刷网版对上述硅片印刷扩散渗透膜;所述第一丝网印刷网版所印刷的扩散渗透膜遮挡住非电极区,裸露待印刷电极区域,硅片在有渗透膜的非电极受光区域形成轻扩散层,而在没有渗透膜的待印刷电极区域形成重扩散层;然后进行刻蚀去除周边的PN结,再进行洗膜并去除磷硅玻璃;制作钝化及减反射层;用印刷网版印刷并烧结形成背面Ag电极、背面铝背场和正面Ag电极。本发明提供的选择性发射极太阳电池的制备方法,采用一次扩散就可形成选择性发射极太阳电池所需的轻重掺杂,减少了一次高温扩散过程,简化了工艺路径,使得成本更低。
搜索关键词: 选择性 发射极 太阳电池 制备 方法
【主权项】:
一种选择性发射极太阳电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供一单晶硅片,对单晶硅片表面织构化形成绒面结构;通过第一丝网印刷网版对上述硅片印刷扩散渗透膜;所述第一丝网印刷网版所印刷的扩散渗透膜遮挡住非电极区,裸露待印刷电极区域,硅片在有渗透膜的非电极受光区域形成轻扩散层,而在没有渗透膜的待印刷电极区域形成重扩散层;将硅片进行等离子刻蚀去除周边的PN结,再进行酸洗去除硅片表面的磷硅玻璃和扩散渗透膜;采用等离子增强化学气相沉积法在上述硅片的扩散面沉积一层氮化硅薄膜形成钝化及减反射层;通过背面电极网版、背面电场网版对上述硅片层的背面依次印刷背电极浆料和背电场浆料,通过第二丝网印刷网版在正面印刷细栅电极和主栅电极浆料后进行烧结,所述第二丝网印刷网版和第一丝网印刷网版图形设计相反;烧结后背电极浆料和背电场浆料形成太阳能电池的背面Ag电极和铝背场,而正面电极浆料则穿过钝化及减反射层与扩散层接触,形成具有良好欧姆接触的太阳能电池的正面Ag电极。
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