[发明专利]一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法

摘要

一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法，首先在硅片(1)表面丝印一层金属浆料，烧结后，再在强酸性溶液中去除硅片(1)表面的金属电极层和金属与硅的合金层(3)；然后清洗硅片表面痕迹，得到该金属的有效掺杂层(2)；或再将该硅片(1)在碱性刻蚀溶液中刻蚀10s-12min，得到掺该金属的有效掺杂层内层(2)；然后采用阳极氧化的方法制得含SiO2的金属氧化物复合薄膜(4)。再经过退火，即可得到所需的薄膜。

主权项

一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法，首先选取P型或N型硅片，所述的硅片经过标准的RCA清洗，或经制绒清洗，或在清洁的硅片上经过磷或硼扩散，沉积氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，其特征在于，所述的制备方法还包括以下工艺步骤：(1)丝印金属浆料：在经除去表面污染或经过磷或硼扩散，沉积氧化硅薄膜或氮化硅薄膜的清洁硅片(1)上丝印所需要的图形，然后在温度高于所述金属和硅共熔的合金点以上的烧结炉中烧结2s～10min；(2)制备掺所述第(1)步中的金属的有效掺杂层：将步骤(1)制得的硅片浸入强酸溶液中，加热去除所述硅片的金属电极层和金属与硅的合金层；然后取出硅片，清洗硅片表面痕迹，得到所述金属的有效掺杂层；或再将硅片置于碱性溶液中刻蚀10s‑12min，得到所述金属的有效掺杂层内层；(3)阳极氧化：将步骤(2)制备得到的硅片置于阳极氧化设备的电极阳极端，加电压，使所述硅片在导电溶液中反应2‑600min；电极阴极选用任何不与导电溶液反应的导电电极或硅片；之后，取出硅片吹干，得到含SiO2的金属氧化物复合薄膜；(4)退火：将步骤(3)制得的复合膜烧结炉或真空退火炉中退火，即可得到具有钝化效果或绝缘特性的含SiO2的金属氧化物复合薄膜。