[发明专利]接触孔的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010276881.1 | 申请日： | 2010-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102403218A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 黄志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法，包括：淀积掺磷氧化膜作为SAB的氧化膜；采用光刻工艺定义出形成钴硅化物的区域，接着刻蚀去除位于钴硅化物区域的掺磷氧化膜；淀积金属钴，之后退火处理形成钴硅化物，接着去除剩余的钴；依次淀积氮化硅层和介质层；在介质层上定义出接触孔的位置，而后刻蚀所述介质层至钴化硅物上，形成钴硅化物区域的接触孔；而后采用四氟乙烷作为刻蚀气体进行过刻蚀，去除位于接触孔区域的掺磷氧化膜至硅衬底，形成无钴硅化物区域的接触孔。采用本发明的方法，避免了原有工艺中额外的过刻蚀造成跨在浅沟槽区域的氧化膜损失过多，而使器件发生漏电的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔的刻蚀方法，其特征在于，在器件的源漏区形成之后，包括如下步骤：(1)淀积掺磷氧化膜作为自对准硅化物阻挡层的氧化膜；(2)采用光刻工艺定义出形成钴硅化物的区域，接着刻蚀去除位于钴硅化物区域的掺磷氧化膜；(3)淀积金属钴，之后退火处理形成钴硅化物，接着去除剩余的钴；(4)依次淀积氮化硅层和介质层；(5)在介质层上定义出接触孔的位置，而后采用氮化硅层作为刻蚀阻止层，刻蚀所述介质层和氮化硅层至钴硅化物上，形成钴硅化物区域的接触孔；(6)而后采用四氟乙烷作为刻蚀气体进行过刻蚀，去除位于接触孔区域的掺磷氧化膜至硅衬底，形成无钴硅化物区域的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
