[发明专利]成膜装置和成膜方法

摘要

本发明提供一种使用第1和第2反应气体在被处理体上形成薄膜的成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括真空容器、排气系统、用于载置被处理体的旋转台、用于使旋转台旋转的旋转机构以及将被处理体设定为使第1反应气体凝结的温度的温度调整机构。在真空容器内，沿着旋转台的旋转方向依次配置有：使第1反应气体的凝结物吸附在被处理体上的第1反应气体供给部；使凝结物的一部分气化的气化部；以及使第2反应气体和凝结物反应的第2反应气体供给部。

主权项

一种成膜装置，其是使用第1和第2反应气体在被处理体上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置，其包括：真空容器；排气系统，其用于对上述真空容器进行排气；旋转台，其被配设在上述真空容器内，用于载置上述被处理体；旋转机构，其用于使上述旋转台旋转；温度调整机构，其用于将上述旋转台上的上述被处理体的温度设定成使上述第1反应气体凝结的温度；第1反应气体供给部，其被配设在上述真空容器内，用于向上述旋转台上的上述被处理体供给上述第1反应气体并使上述第1反应气体的凝结物吸附于上述被处理体上；气化部，其被配设在上述真空容器内，用于对上述旋转台上的上述被处理体进行加热而使上述凝结物的一部分气化；以及第2反应气体供给部，其被配设在上述真空容器内，用于将上述第2反应气体以活化的状态向上述旋转台上的上述被处理体供给，使上述第2反应气体与上述凝结物反应而生成反应生成物，上述第1反应气体供给部、上述气化部和上述第2反应气体供给部沿着上述旋转台的旋转方向依次配置。