[发明专利]成膜装置和成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其是使用第1和第2反应气体在被处理体上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置，其包括：

真空容器；

排气系统，其用于对上述真空容器进行排气；

旋转台，其被配设在上述真空容器内，用于载置上述被处理体；

旋转机构，其用于使上述旋转台旋转；

温度调整机构，其用于将上述旋转台上的上述被处理体的温度设定成使上述第1反应气体凝结的温度；

第1反应气体供给部，其被配设在上述真空容器内，用于向上述旋转台上的上述被处理体供给上述第1反应气体并使上述第1反应气体的凝结物吸附于上述被处理体上；

气化部，其被配设在上述真空容器内，用于对上述旋转台上的上述被处理体进行加热而使上述凝结物的一部分气化；

以及第2反应气体供给部，其被配设在上述真空容器内，用于将上述第2反应气体以活化的状态向上述旋转台上的上述被处理体供给，使上述第2反应气体与上述凝结物反应而生成反应生成物，

上述第1反应气体供给部、上述气化部和上述第2反应气体供给部沿着上述旋转台的旋转方向依次配置。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，

上述第2反应气体供给部包括使上述第2反应气体等离子化或对上述第2反应气体进行加热的活化机构。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，

上述半导体处理用的成膜装置沿着上述旋转台的旋转方向在上述气化部和上述第2反应气体供给部之间还包括辅助气体供给部，该辅助气体供给部用于供给辅助气体，该辅助气体用于将吸附于上述旋转台上的上述被处理体的上述凝结物转换为更难以气化的2次物质。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，

上述第1反应气体是硅源气体，上述辅助气体是用于将上述凝结物转换为作为上述2次物质的含有羟基和水分中的一种或两种的物质的气体。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，

上述半导体处理用的成膜装置还具有改性用的加热部，该改性用的加热部用于加热上述旋转台上的上述被处理体，对上述反应生成物进行改性。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，

上述第2反应气体供给部包括使上述第2反应气体等离子化的活化机构，上述活化机构也作为对上述反应生成物进行改性的等离子体供给部发挥作用。

7.根据权利要求1所述的成膜装置，

上述半导体处理用的成膜装置沿着上述旋转台的旋转方向在上述第2反应气体供给部和上述第1反应气体供给部之间具有向上述旋转台上的上述被处理体供给用于分离气体气氛的由非活性气体构成的分离气体的第1分离部、以及在上述第1反应气体供给部和上述第2反应气体供给部之间具有向上述旋转台上的上述被处理体供给用于分离气体气氛的由非活性气体构成的分离气体的第2分离部。

8.根据权利要求3所述的成膜装置，

上述半导体处理用的成膜装置沿着上述旋转台的旋转方向分别在上述第2反应气体供给部和上述第1反应气体供给部之间具有向上述旋转台上的上述被处理体供给用于分离气体气氛的由非活性气体构成的分离气体的第1分离部、以及在上述第1反应气体供给部和上述辅助气体供给部之间还具有向上述旋转台上的上述被处理体供给用于分离气体气氛的由非活性气体构成的分离气体的第2分离部。

9.根据权利要求7所述的成膜装置，

上述气化部兼用作上述第2分离部，在将上述分离气体加热了的状态下将该分离气体向上述旋转台上的上述被处理体供给。

10.根据权利要求3所述的半导体处理用的成膜装置，

上述真空容器具有沿着上述旋转台的旋转方向形成在上述辅助气体供给部和上述第2反应气体供给部之间的输送口，上述被处理体通过上述输送口而在上述真空容器的外侧的位置和上述旋转台之间被搬入或被搬出。

11.根据权利要求1所述的成膜装置，

上述旋转台具有用于支承上述被处理体的多个支承销，上述支承销能够升降，以便对相对于上述旋转台搬入或搬出上述被处理体进行辅助。

12.根据权利要求1所述的成膜装置，

上述排气系统在上述旋转台的径向外侧的位置具有向上述真空容器内开口的排气口。