[发明专利]一种掺锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010271191.7 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102010195A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 闵鑫;钱小龙;房明浩;黄朝晖;刘艳改 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;H01L41/187 |
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| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料领域。本发明采用SrBi2Ta2O9体系无铅压电陶瓷材料为基体，在Ta位按一定的摩尔比值掺入Zr和Mo，按照固相工艺制备方法，制备出此种新型压电陶瓷材料，其组成为SrBi2(Zr0.5Mo0.5)xTa2-xO9，其中0≤x≤2。该种材料在SrBi2Ta2O9基础上提高了压电常数，降低了介电常数，同时还具有低的机电耦合系数、高的机械品质因数等优点，是一种能够应用于制备各类压电陶瓷元件及组装成各类压电传感器的优良无铅压电陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
掺杂锆和钼的SrBi2(Zr0.5Mo0.5)xTa2‑xO9体系铋层状无铅压电陶瓷，其特征在于：化学式为：SrBi2(Zr0.5Mo0.5)xTa2‑xO9，其中0≤x≤2。
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