[发明专利]一种掺锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.掺杂锆和钼的SrBi₂(Zr_0.5Mo_0.5)_xTa_2-xO₉体系铋层状无铅压电陶瓷，其特征在于：

化学式为：SrBi₂(Zr_0.5Mo_0.5)_xTa_2-xO₉，其中0≤x≤2。

2.一种按权利要求1所述的掺杂锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料的制备方法，包括配料、混料、干燥、研磨、干压成型、烧结、抛光、电极化等步骤，其特征在于：

(1)按照化学式SrBi₂(Zr_0.5Mo_0.5)_xTa_2-xO₉配取基本原料，其中0≤x≤2；

(2)烧结温度为800℃-1300℃，保温时间为0.1-6小时。

3.按照权利要求2所述的掺杂锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于采用SrCO₃、Bi₂O₃、ZrO₂、MoO₃、Ta₂O₅等为原料。

4.按照权利要求2所述的掺杂锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于混料采用行星球磨工艺，以酒精为球磨介质。

5.按照权利要求2所述的掺杂锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于干压成型压力为0.1～100MPa。

6.按照权利要求2所述的掺杂锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于采用敞开煅烧合成的方法，其烧结温度为800℃-1300℃，保温时间为0.1-6小时。

7.按照权利要求1或2所述的制备掺杂锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷材料，其主要应用于制备各种形状的压电陶瓷元件或组装成各类压电传感器。