[发明专利]一种多晶硅掺杂工艺中挡片处理的方法有效
| 申请号： | 201010270515.5 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386074A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王冬梅 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种多晶硅掺杂工艺中挡片处理的方法。该方法包括：在放置多晶硅产品和挡片的反应室内进行掺杂反应，其中掺杂反应为将杂质元素掺杂到多晶硅产品中的反应；在掺杂反应后，判断挡片的使用次数是否大于第一阈值；在挡片的使用次数不大于第一阈值时，用氢氟酸清洗挡片上含杂质元素的氧化硅。采用本发明实施例的方法能够大大降低挡片上杂质元素的浓度，从而减少挡片在下次使用时对多晶硅产品的间接掺杂，提高多晶硅产品的工艺稳定性；进一步还可以增加挡片的利用次数，降低经济成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 掺杂 工艺 中挡片 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅掺杂工艺中挡片处理的方法，其特征在于，该方法包括：在放置多晶硅产品和挡片的反应室内进行掺杂反应，其中所述掺杂反应为将杂质元素掺杂到多晶硅产品中的反应；在掺杂反应后，判断挡片的使用次数是否大于第一阈值；在挡片的使用次数不大于第一阈值时，用氢氟酸清洗挡片上含杂质元素的氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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