[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体装置具有单条接触垫于源极区域中，包括第一阱、第二阱、场氧化物及多个导电接触垫。第一阱轻掺杂第一掺杂物且形成于基板的一部分内，第一阱的表面具有漏极区域，漏极区域重掺杂第一掺杂物。第二阱轻掺杂第二导电掺杂物且形成于基板的另一部分，第二阱的表面具有源极区域，源极区域包含多个第一部份及多个第二部分，此些第一部份及第二部份分别重掺杂第一及第二导电掺杂物。场氧化物形成于基板的上表面。多个接触垫接触栅极、漏极区域及源极区域，接触此些源极区域的接触垫包括导电材质的单条状延伸经过源极区域。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体装置，包括：一第一阱，轻掺杂一第一导电掺杂物且形成于一基板的一部分内，该第一阱的表面具有一漏极区域，该漏极区域重掺杂该第一导电掺杂物；一第二阱，轻掺杂一第二导电掺杂物且形成于该基板的另一部分，该第二阱的表面具有一源极区域，该源极区域包含多个第一部份及多个第二部分，该些第一部份重掺杂该第一导电掺杂物，该些第二部份重掺杂该第二导电掺杂物，该些第一部份直接邻接于该些第二部份；一场氧化物，形成于该基板的上表面，并介于该源极区域及该漏极区域之间，该场氧化物接触该第一阱，且与该第二阱间隔一段距离；以及多个导电接触垫，接触该漏极区域及该源极区域，其中接触该些源极区域的该接触垫包括导电材质的一单条状延伸经过该源极区域。