[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 201010266693.0 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102386290A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，其包括一基板、形成于基板上的三发光芯片及分别位于至少二发光芯片的光路上的至少二荧光粉层，每一发光芯片包括一第一N型半导体层、一P型半导体层及一位于P型半导体层及N型半导体层之间的发光层，任一发光芯片的发光层面积与其最终出射光在三发光芯片的混光中所占的比重成正比。本发明的发光二极管封装结构的电路结构较为简单，可节省整体成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其包括基板、形成于基板上的三发光芯片及位于该三个发光芯片中的至少两个的光路上的至少二荧光粉层，该至少二发光芯片发出的光通过该至少二荧光粉层后产生不同波段的光，每一发光芯片包括第一N型半导体层、P型半导体层及位于P型半导体层及N型半导体层之间的发光层，其特征在于：任一发光芯片的发光层面积与其最终出射光在三发光芯片出射光的混光中所占的强度比重成正比。
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