[发明专利]BiCMOS工艺中的寄生PIN器件及制造方法有效
| 申请号： | 201010265357.4 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102376775A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件，形成于硅衬底上，有源区通过浅沟槽隔离，包括：一N型区，由形成于浅沟槽隔离氧化层底部并横向延伸进入有源区的一N型赝埋层组成；一I型区，是由形成于有源区中N型的集电极注入区形成，和N型区相接触；一P型区，由形成于有源区表面上的掺有P型杂质的本征基区外延层组成，和I型区相接触。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件的制造方法。本发明制造方法利用BiCMOS工艺中现有工艺条件就能实现，无需额外增加工艺条件；本发明器件具有较低插入损耗和较高隔离度，无需额外的工艺条件就可以实现为电路提供多一种器件选择。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 工艺 中的 寄生 pin 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件，其特征在于：所述寄生PIN器件形成于一P型硅衬底上，有源区通过浅沟槽隔离氧化层进行隔离，所述寄生PIN器件包括：一N型区，由形成于所述浅沟槽隔离氧化层底部并横向延伸进入所述有源区的一N型赝埋层组成，通过在所述浅沟槽隔离氧化层中做接触孔并填入金属引出所述N型区；一I型区，是由形成于有源区中的N型集电极注入区组成，和延伸入所述有源区的所述N型区相接触；一P型区，由形成于所述有源区表面上的掺有N型杂质的本征基区外延层组成，和所述I型区相接触，所述P型区通过在其上部形成一金属接触引出。
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