[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010264806.3 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102376866A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张国正 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片，所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极，所述发光二极管芯片包括一基底、叠置于基底上的一第一半导体层、叠置于第一半导体层上的一发光层、叠置于发光层上的一第二半导体层及形成于该第二半导体层上的一第三电极，基座的第二电极通过一导线与发光二极管芯片的第三电极电性相连，基座的第一电极由本体朝向发光二极管芯片向外凸伸而出，并穿过基底而与第一半导体层电性相连。所述发光二极管通过在基座上凸伸出一第一电极，该第一电极穿过基底，直接与第一半导体层电性相连，使得发光二极管只需在第二半导体层上设置导线。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片，所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极，所述发光二极管芯片包括一基底、叠置于基底上的一第一半导体层、叠置于第一半导体层上的一发光层、叠置于发光层上的一第二半导体层及形成于该第二半导体层上的一第三电极，所述基座的第二电极通过一导线与发光二极管芯片的第三电极电性相连，其特征在于：所述基座的第一电极由本体朝向发光二极管芯片凸伸而出，并穿过所述发光二极管芯片的基底而与第一半导体层电性相连。
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