[发明专利]形成半导体器件结构的方法有效
| 申请号： | 201010263287.9 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376632A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成半导体器件结构的方法，依次包括：提供前端器件结构，在前端器件结构上形成层间介质层，在层间介质层中形成通孔以及位于通孔上方的沟槽；在通孔、沟槽以及层间介质层的表面上依次形成第一阻挡层和第二阻挡层；采用溅射刻蚀工艺去除第一阻挡层和第二阻挡层位于通孔底部的部分；在通孔、沟槽以及层间介质层的表面上形成第三阻挡层，以形成半导体器件结构优选地，溅射刻蚀工艺步骤分两步进行。根据本发明，不仅能够解决由于通孔底部存在TaN层而产生的接触电阻增加的问题，还能够提高半导体器件的抗电迁移性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件结构的方法，依次包括：(a)提供前端器件结构，在所述前端器件结构上形成层间介质层，在所述层间介质层中形成通孔以及位于所述通孔上方的沟槽；(b)在所述通孔、所述沟槽以及所述层间介质层的表面上依次形成第一阻挡层和第二阻挡层；(c)采用溅射刻蚀工艺去除所述第一阻挡层和所述第二阻挡层位于所述通孔底部的部分；和(d)在所述通孔、所述沟槽以及所述层间介质层的表面上形成第三阻挡层，以形成所述半导体器件结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
