[发明专利]适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法无效
| 申请号： | 201010263069.5 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101969088A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;闫建昌;王军喜;刘乃鑫;魏同波;魏学成;马平;刘喆;曾一平;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤1：准备并清洗衬底；步骤2：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。本发明提供的这种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，具有易操作、低成本、低污染等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 氮化物 led 外延 生长 纳米 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：准备并清洗衬底；步骤2：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010263069.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
