[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201010260671.3 | 申请日: | 2010-08-20 |
公开(公告)号: | CN101996896A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | R·A·帕盖拉 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李娜;李家麟 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。在半导体器件中,在临时载体上形成多个导电柱。在所述导电柱之间的载体上安装双有源侧半导体管芯。所述半导体管芯具有第一和第二相对有源表面,多个第一接触焊盘在第一有源表面上并且多个第二接触焊盘在第二有源表面上。在所述半导体管芯和临时载体上沉积密封剂。在密封剂的第一表面上形成第一互连结构。第一互连结构被电连接到所述导电柱和所述双有源侧半导体管芯的第一接触焊盘。除去所述临时载体。在与密封剂的第一表面相对的密封剂的第二表面上形成第二互连结构。第二互连结构被电连接到所述导电柱和所述双有源侧半导体管芯的第二接触焊盘。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括:提供临时载体;在所述临时载体上形成多个导电柱;在所述导电柱之间的临时载体上安装第一半导体管芯,第一半导体管芯具有第一和第二相对有源表面,多个第一接触焊盘在第一有源表面上并且多个第二接触焊盘在第二有源表面上;在第一半导体管芯和临时载体上沉积密封剂;在密封剂的第一表面上形成第一互连结构,第一互连结构被电连接到所述导电柱和第一半导体管芯的第一接触焊盘;除去所述临时载体;以及在与密封剂的第一表面相对的密封剂的第二表面上形成第二互连结构,第二互连结构被电连接到所述导电柱和第一半导体管芯的第二接触焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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