[发明专利]衬底结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010256572.8 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101997071A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 金峻渊;洪贤基;卓泳助;李在原;丁亨洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底结构及其制造方法。通过在缓冲层之下形成衬底的突出区域以及在缓冲层上形成半导体层而制造衬底结构，由此在除了在形成突出部的区域以外的区域将衬底与缓冲层分开。不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立特性，可以减少或防止位错或裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底结构，包括：衬底，包括衬底突出部；以及缓冲层，在所述衬底突出部上，所述衬底突出部将所述缓冲层与部分所述衬底分开。
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