[发明专利]一种RLDRAM SIO存储器访问控制方法和装置有效
| 申请号： | 201010252679.5 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101916227A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张兰君 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 11010 | 代理人： | 梁军 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RLDRAM SIO存储器访问控制方法和装置，对输入的读写命令进行地址解析和分开保存，并对分开保存的读写命令进行统一排序得到操作命令队列，同时将输入的数据包解析成子数据片；输出子数据片以及操作命令队列中的读写命令到RLDRAM SIO存储器。该装置包括：输入操作控制模块、缓存模块和输出操作控制模块。本发明在现有IP核基础上对读写操作的访问地址进行了优化，并且合理安排存储器的读、写命令发送顺序，使读写操作达到带宽的高效利用，大幅度提高RLDRAM SIO存储器带宽利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rldram sio 存储器 访问 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种RLDRAM SIO存储器访问控制方法，其特征在于，对输入的读写命令进行地址解析和分开保存，并对分开保存的读写命令进行统一排序得到操作命令队列，同时将输入的数据包解析成子数据片；输出所述子数据片以及操作命令队列中的读写命令到RLDRAM SIO存储器。
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