[发明专利]一种RLDRAM SIO存储器访问控制方法和装置

权利要求书

1.一种RLDRAM SIO存储器访问控制方法，其特征在于，对输入的读写命令进行地址解析和分开保存，并对分开保存的读写命令进行统一排序得到操作命令队列，同时将输入的数据包解析成子数据片；

输出所述子数据片以及操作命令队列中的读写命令到RLDRAM SIO存储器。

2.根据权利要求1所述访问控制方法，其特征在于，所述对输入的读写命令进行地址解析和分开保存的具体过程包括：

将包含数据单元写入地址和子数据片写入内部体地址的二维地址信息依次分别与写命令和读命令建立对应访问关系；

将写命令及其访问的所述二维地址信息缓存入写命令队列，将读命令及其访问的所述二维地址信息缓存入读命令队列。

3.根据权利要求2所述访问控制方法，其特征在于，所述将包含数据单元写入地址和子数据片写入内部体地址的二维地址信息依次分别与写命令和读命令建立对应访问关系，包括：

对于写命令，将数据单元写入地址与写命令建立对应访问关系，在每个数据单元写入地址中，再将子数据片写入内部体地址按照编号从小到大依次与写命令建立对应访问关系，使每一个写命令具有包含数据单元写入地址和子数据片写入内部体地址的二维地址信息；

对于读命令，将数据单元写入地址与读命令建立对应访问关系，在每个数据单元写入地址中，再将子数据片写入内部体地址按照编号从小到大依次与读命令建立对应访问关系，使每一个读命令具有包含数据单元写入地址和子数据片写入内部体地址的二维地址信息。

4.根据权利要求2或3所述访问控制方法，其特征在于，所述对分开保存的读写命令进行统一排序得到的操作命令队列的具体过程，包括：基于相同子数据片写入内部体最小访问间隔的要求，对写命令队列和读命令队列进行重新排序得到操作命令队列。

5.根据权利要求4所述访问控制方法，其特征在于，所述基于相同子数据片写入内部体最小访问间隔的要求，对分开保存的写命令和读命令进行重新排序得到的操作命令队列，包括：

在写命令队列和读命令队列中分别按照子数据片写入内部体编号从小到大处理读命令和写命令，对取出的第一个命令直接存入操作命令队列，从第二个命令开始执行下面的步骤：

步骤一、判断前一个命令是读命令还是写命令，若前一个命令是写命令，则跳转步骤二，若前一个命令是读命令，则跳转步骤三；

步骤二、判断读命令队列中是否为空，若为空，则跳转步骤五，若不为空，则跳转步骤四；

步骤三、判断写命令队列中是否为空，若为空，则跳转步骤四，若不为空，则，跳转步骤五；

步骤四、从读命令队列中取出当前读命令访问的子数据片写入内部体编号，判断当前读命令访问的子数据片写入内部体编号是否大于前一个写命令访问的子数据片写入内部体编号，或者，前一个写命令访问的子数据片写入内部体编号与当前读命令访问的子数据片写入内部体编号之差是否大于等于2(tRC-T)/BL，BL为RLDRAM SIO存储器的突发长度，tRC为相同子数据片写入内部体地址最小访问间隔，T为一个命令周期内写命令和读命令之间的间隔，若是，则将当前读命令存入操作命令队列，否则将后一个写命令存入操作命令队列，当前读命令仍然待处理，跳转步骤一；

步骤五、从写命令队列中取出当前写命令访问的子数据片写入内部体编号，判断当前写命令访问的子数据片写入内部体编号是否大于前一个读命令访问的子数据片写入内部体编号，或者，前一个读命令访问的子数据片写入内部体编号与当前写命令访问的子数据片写入内部体编号之差是否大于等于2(tRC-T)/BL，若是，则将当前写命令存入操作命令队列，否则将后一个读命令存入操作命令队列，当前写命令仍然待处理，跳转步骤一。

6.根据权利要求1所述访问控制方法，其特征在于，所述将输入的数据包解析成子数据片的过程包括：

将输入的数据包划分为数据单元，将每个数据单元划分为与RLDRAM SIO存储器内部体数量相等的子数据片。

7.一种RLDRAM SIO存储器访问控制方法，其特征在于，包括：对输入的读命令或者写命令进行地址解析和缓存得到操作命令队列，并且，当输入的是写命令时，将输入的数据包解析成子数据片；

输出所述子数据片以及操作命令队列中的读命令或者写命令到RLDRAM SIO存储器。