[发明专利]氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法无效
| 申请号： | 201010251507.6 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101937956A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;刘志强;汪炼成;伊晓燕;王莉;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极；然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作N电极，该N电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 垂直 结构 发光二极管 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；步骤2：在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；步骤3：在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极；步骤4：然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；步骤5：采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；步骤6：在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；步骤7：在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作N电极，该N电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。
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