[发明专利]制作半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在衬底的表面形成多晶硅层；在多晶硅层的表面形成掩膜层；图案化掩膜层和多晶硅层，以形成多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极表面的阻挡层，并在多晶硅栅极的两侧制作侧墙；在多晶硅栅极的两侧掺杂形成源极和漏极；在衬底的表面和阻挡层的表面形成自对准多晶硅化物层；在自对准多晶硅化物层的表面和侧墙的表面形成层间介电层；用化学机械研磨方法去除层间介电层至多晶硅栅极；去除多晶硅栅极形成容纳金属栅极的沟槽；在沟槽中掺杂形成金属栅极。根据本发明的方法，使得不同多晶硅栅极的刻蚀速度基本相同，这样保证了刻蚀效果，从而确保了后续形成的金属栅极的质量。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤：a)提供衬底；b)在所述衬底的表面形成多晶硅层；c)在所述多晶硅层的表面形成掩膜层；d)图案化所述掩膜层和所述多晶硅层，以形成多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极表面的阻挡层，并在所述多晶硅栅极的两侧制作侧墙；e)在所述多晶硅栅极的两侧掺杂形成源极和漏极；f)在所述衬底的表面和所述阻挡层的表面形成自对准多晶硅化物层；g)在所述自对准多晶硅化物层的表面和所述侧墙的表面形成层间介电层；h)用化学机械研磨方法去除所述层间介电层至所述多晶硅栅极；i)去除所述多晶硅栅极形成容纳金属栅极的沟槽；j)在所述沟槽中掺杂形成金属栅极。