[发明专利]硅片单面化学机械抛光方法和装置无效
| 申请号： | 201010249946.3 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101934497A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 柳滨;李伟;郭强生;廖垂鑫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人： | 张贰群 |
| 地址： | 065201 河北省三河市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片单面化学机械抛光方法和装置，属于硅片化学机械抛光方法和设备技术领域。其方法是根据硅片单面抛光的表面质量要求，在进行了初抛光和/或精抛光之后，再与进行硅片的漂洗抛光。其装置主要包括初抛光台和/或精抛光台，及漂洗抛光台。本发明能有效降低或消除硅片经初抛光或精抛光后抛光液在硅片表面上的残留，大大提高硅片的单面抛光质量；其方法合理、原理独特，工艺性好；其装置结构简单、配置合理、单面抛光质量高且稳定，也有利于提高生产效率、降低成本和实现生产过程的自动化；本发明用途广，尤其是可满足300mm及其以上大直径硅片对全局及局部平整度和微粗糙度等更高的精度要求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 单面 化学 机械抛光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种硅片单面化学机械抛光方法，包括在初抛光台和/或精抛光台进行硅片的粗抛光和/或精抛光，其特征在于根据硅片单面抛光的表面质量要求，由上述的初抛光台和/或精抛光台与漂洗台配合，由漂洗台再进行硅片的漂洗抛光，以去除在粗抛光和精抛光工艺过程中的残留抛光液，消除残留抛光液对硅片抛光质量的影响，提高硅片的抛光质量。
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