[发明专利]硅片单面化学机械抛光方法和装置

权利要求书

1.一种硅片单面化学机械抛光方法，包括在初抛光台和/或精抛光台进行硅片的粗抛光和/或精抛光，其特征在于根据硅片单面抛光的表面质量要求，由上述的初抛光台和/或精抛光台与漂洗台配合，由漂洗台再进行硅片的漂洗抛光，以去除在粗抛光和精抛光工艺过程中的残留抛光液，消除残留抛光液对硅片抛光质量的影响，提高硅片的抛光质量。

2.根据权利要求1所述的硅片单面化学机械抛光方法，其特征在于所述的漂洗抛光为用去离子水作为介质进行漂洗抛光。

3.一种硅片单面化学机械抛光装置，主要包括初抛光台(17)和/或精抛光台(10)，抛光液供给机构，电气控制部分，其特征在于设有终抛光台，即漂洗抛光台(8)。

4.根据权利要求3所述的硅片单面化学机械抛光装置，其特征在于漂洗抛光台(8)具有去离子水供给机构。

5.根据权利要求3所述的硅片单面化学机械抛光装置，其特征在于初抛光台和精抛光台分别独立设有2路或3路以上抛光液供给机构，具有同时、依次或者它们之间组合的方式供给抛光液的结构。

6.根据权利要求3所述的硅片单面化学机械抛光装置，其特征在于初抛光台(17)、精抛光台(10)或漂洗抛光台(8)的抛光头均和抛光主轴自转、升降及气吸机构相连，抛光主轴自转、升降及气吸机构均装在可转动换位的转塔(19)上。

7.根据权利要求6所述的硅片单面化学机械抛光装置，其特征在于硅片处理部分设有硅片装载台、硅片卸载台、机械手机构、硅片存储水槽、硅片扫描，OCL单元和电气控制。

8.根据权利要求7所述的硅片单面化学机械抛光装置，其特征在于所述的机械手机构设有硅片转换台、2套四维机械手单元，或者为1套六维机械手和末端执行器。

9.根据权利要求7所述的硅片单面化学机械抛光装置，其特征在于电气控制部分主要由主机PC(33)、主机系统(34)、抛光头系统(35)、前端模组系统(36)、抛光液供给站(37)等组成；主机PC(33)是以工业计算机为基础的设备输入/输出、主逻辑控制和与其他控制单元进行网络通讯的主单元；主机PC(33)通过以太网交换机(41)分别与主机系统(34)、抛光头系统(35)、前端模组系统(36)、抛光液供给站(37)控制单元连结，进行数据交换和逻辑动作控制；主机系统(34)、抛光头系统(35)、前端模组系统(36)、抛光液供给站(37)作为四个独立的控制单元，包括专用控制器或逻辑控制器(PLC)、电源模块、运动控制单元、电机驱动模块、通讯模块和功能扩展模块电路。

10.根据权利要求9所述的硅片单面化学机械抛光装置，其特征在于电气控制部分具有以下主要软件部分：WindowsXp操作系统作为设备的系统层(83)平台，具有设备的人机界面应用层(88)、底层逻辑控制以及I/O控制的实现层(87)和包含控制模块之间的通讯的接口层(86)。