[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种具有衬底的半导体器件，所述衬底具有通过衬底的第一表面和第二表面形成的空腔。通过第一半导体管芯形成导电TSV，所述第一半导体管芯被安装在所述空腔中。第一半导体管芯可以在所述空腔上延伸。密封剂被沉积在第一半导体管芯的第一表面和衬底上。从第一半导体管芯的第一表面除去所述密封剂的一部分以暴露所述导电TSV。第二半导体管芯被安装到第一半导体管芯的第一表面。第二半导体管芯电连接到所述导电TSV。在第一半导体管芯和第二半导体管芯之间设置插入物。第三半导体管芯被安装在第一半导体管芯的第二表面上。热沉被形成在第三半导体管芯的表面上。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一表面和第二表面的衬底；形成通过所述衬底的第一表面和第二表面的空腔；形成通过第一半导体管芯的通路；利用导电材料填充所述通路以形成导电通路；在所述空腔中安装第一半导体管芯；在第一半导体管芯的第一表面和衬底上沉积密封剂；从第一半导体管芯的第一表面除去密封剂的一部分以暴露所述导电通路；将第二半导体管芯安装到第一半导体管芯的第一表面，第二半导体管芯电连接到所述导电通路；以及在与第一半导体管芯的第一表面相对的第一半导体管芯的第二表面上安装第三半导体管芯。