[发明专利]沉积设备和使用沉积设备制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010241234.7 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101969020A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 权永秀;罗敬弼;玄锡宗 | 申请（专利权）人： | 奥拓股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/31;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道始兴市正往洞*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种沉积设备和一种制造半导体装置的方法。在所述方法中，准备具备气体源供应单元和液体源供应单元的反应腔室，且通过使用气体源在衬底上形成蚀刻停止层。随后，通过使用经汽化液体源和经汽化掺杂剂源在蚀刻停止层上形成层间绝缘层。以此方式，蚀刻停止层和层间绝缘层在同一反应腔室中在原位形成。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 设备 使用 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积设备，其特征在于，包括：反应腔室，其中形成反应空间；衬底支撑件和喷淋头，其安置于所述反应腔室中以彼此面对；气体源供应单元，其连接到所述喷淋头以供应气体源；液体源供应单元，其经安装以与所述气体源供应单元分离，且连接到所述喷淋头以供应液体源；以及反应气体供应单元，其经安装以与所述气体源供应单元和所述液体源供应单元分离，且连接到所述喷淋头以供应反应气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥拓股份有限公司，未经奥拓股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010241234.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
